Los transistores, son dispositivos electrónicos hechos de material semiconductor que amplifican una señal, o abrir o cerrar un circuito. Inventado en 1947, en los laboratorios Bell. Los transistores, se han convertido en el ingrediente clave de todos los circuitos digitales, incluidos los equipos. Es el estado sólido, análogo al tubo de electrones tríodo; el transistor ha reemplazado el tubo de electrones para aplicaciones de prácticamente todo-común. El transistor, es un arreglo de materiales de semiconductores que comparten fronteras físicas comunes. Materiales más comúnmente utilizados son el silicio, el arseniuro de galio y el germanio, en el que un proceso llamado "dopaje", ha introducido las impurezas. En semiconductores tipo n, las impurezas o dopantes dan lugar a un exceso de electrones, o cargas negativas. En semiconductores tipo p, los dopantes conducen a una deficiencia de electrones y, por lo tanto, un exceso de portadores de carga positiva o "agujeros.
Cruce de los transistores bipolares (BJT), tienen dos diseños funcionales principales: transistores de cruce n-p-n y p-n-p.
Los transistores n-p-n, consisten en dos semiconductores de tipo n (llamados el emisor y el colector), separados por una fina capa de material semiconductor tipo p, (llamado la base). La acción de transistor, es tal que si bien se determinarán los potenciales eléctricos en los segmentos, una pequeña corriente entre las conexiones de base y emisor da como resultado una gran corriente entre las conexiones de emisor y el colector, produciendo así la amplificación actual. Algunos circuitos, están diseñados para usar el transistor como un dispositivo de conmutación; actual en la Unión base-emisor crea un trazado de baja resistencia entre el colector y el emisor. p-n-p, el cruce de los transistores consisten en una fina capa de material semiconductor tipo n, situada entre dos tipo p, los semiconductores, funcionan de la misma manera, excepto que se revierten todas polaridades.
Transistores de efecto de campo, se desarrollaron después de que el transistor de Unión, es el transistor de efecto de campo (FET). No dibujan prácticamente ningún poder de una señal de entrada, superar una desventaja importante del transistor de Unión. Unn-canalFET, consta de una barra (canal) de material semiconductor tipo n, que pasa entre y hace contacto con dos pequeñas regiones de material de tipo p, cerca de su centro. Los terminales conectados, a los extremos del canal, se denominan el origen, y el desagüe; aquellos conectados a las regiones de dos-tipo p se denominan puertas. Un voltaje aplicado a las puertas, está dirigido para que ninguna corriente exista a través de las uniones entre los materiales de tipo p y n; por esta razón se llama, una tensión inversa. Las variaciones de la magnitud, de la tensión inversa causan variaciones en la resistencia del canal, lo que permite la tensión inversa, controlar la corriente en el canal.
ACanal p, estedispositivo funciona de la misma manera pero con polaridades inversas.
Metal-oxide, semiconductor transistor de efecto campo (MOSFET), es una variante en la que una sola puerta, está separada del canal por una capa de óxido metálico, que actúa como un aislante o dieléctrica. El campo eléctrico, de la puerta se extiende a través de la dieléctrica y controla la resistencia del canal. En este dispositivo la señal de entrada, que se aplica a la puerta, puede aumentar la corriente a través del canal así como disminuirlo.
Los transistores Darlington (pares de Darlington), son dispositivos semiconductores, que combinan dos transistores bipolares en un solo dispositivo. Ofrecen alta ganancia actual (comúnmente escrito ß) y requieren menos espacio que las configuraciones que utilizan dos transistores discretos.
Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT), son los transistores bipolares con una puerta aislada. Combinan las ventajas del transistor bipolar (alto voltaje y corriente), con las ventajas de la MOSFET (conmutación de alto y bajo consumo de energía).
Transistores de efecto de – Metal-oxide semiconductor campo (MOSFET), son dispositivos electrónicos con un canal de conducción, como la salida de conmutación. Un electrodo, que llama una puerta, controla el ancho del canal y determina qué tan bien se realiza el MOSFET.
Transistores bipolares de poder, son semiconductores en el que se intercala una capa base de tipo n o p entre el emisor y el colector capas del tipo opuesto. Los cruces, entre las secciones de semiconductores amplifican débiles señales eléctricas entrantes.
El MOSFET de potencia, estos dispositivos, se utiliza en la mayoría de los circuitos de alta impedancia de entrada, y no presentan efectos de almacenamiento de información de portadora de minoría. Una vía térmica o desglose secundari0. El MOSFET de potencia, tiene altos voltajes de desglose de transistores, de unión bipolar (BJT) y puede utilizarse en aplicaciones de mayor frecuencia, donde la conmutaciones de las pérdidas de energía es importantes.
Transistores de RF, están diseñados para manejar señales de alta potencia, de radiofrecuencia (RF), en dispositivos tales como amplificadores estéreo, transmisores de radio y monitores de televisión.
Transistores bipolares de pequeña señal (BJT), son semiconductores que amplificar pequeñas señales de CA o CC. Consisten en una base de tipo n o capa de tipo p intercalados entre el emisor y el colector capas del tipo opuesto.
Transistor Transistor Lógica TTL
Transistor transistor lógica TTL, es una clase de circuitos digitales construido a partir de transistores de unión bipolar (BJT), diodos y resistencias. Es notable, ya que era la base para la primera
Transistores de unión bipolar
Transistores de unión bipolar de (BJT), se utilizan en aplicaciones de propósito generales. Consisten en dos secciones de un tipo de semiconductores (N o P) alrededor de una losa mediana de otro tipo. Las
Transistores de movilidad de alta Electron (HEMT)
Transistores de electrones alta movilidad (HEMTs), se utilizan en aplicaciones de circuito de microondas. Estos transistores se comportan, muy parecido a los transistores de efecto de campo convencional (FETs): un canal de conducción entre electrodos de drenaje, y de origen puede verse afectado mediante la aplicación de un voltaje para el electrodo de puerta. Esto provoca la modulación de la corriente de la fuente de drenaje. En un HEMT, una estructura hetero, que limita los portadores de carga, a una capa delgada crea el canal de conducción. La concentración de las compañías aéreas y su velocidad, en esta capa permite el transistor mantener una alta ganancia a muy altas frecuencias.
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