El 14/09/2010
Investigadores de California creen que una revolución se está gestando, en el campo de los procesadores y componentes. Si bien la norma actual, es la fabricación de estos chips de silicio, un equipo de la UCLA (UCLA), está desarrollando un transistor ultra rápido en el grafeno, (una capa atómica compuesta de átomos de carbono que es organizarla en hexágonos, que da el grafito). Este material está basado en circuitos electrónicos del futuro, y alcanzar velocidades de procesamiento muy superior a las ofrecidas por el silicio.
Los investigadores y los ingenieros que trabajan en el proyecto, utilizaron un alambre pequeño (a escala nanométrica) para tratar de construir su transistor de grafeno, que muestra un gran rendimiento: los picos de 300 GHz, en los componentes con una distancia entre la fuente y la fuga de 140 nanómetros.
Eso es dos veces más rápido, que el mejor del transistor de efecto de campo, de semiconductores "de óxido de metal", en el silicio existentes (con proporciones similares, y equivalentes a las producidas en el fosfuro de indio o arseniuro de galio (semiconductor y un coste muy elevado) .
La fabricación del transistor de grafeno, era ciertamente complejo, pero no tan complicada, según sus diseñadores que piensan que con algunos " pequeños cambios", el proceso creativo debe ser estable con bastante rapidez. "Este componente tiene el potencial para entrar en la parte de los terahercios", añaden.
La estructura electrónica del grafeno (que es un cristal) permite que las cargas que se mueven con facilidad, por lo que es posible crear circuitos mucho más rápido que el silicio.
No hay comentarios:
Publicar un comentario