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martes, 3 de mayo de 2011

PMV32UP 20 V, 4 A del P-canal Fosa MOSFET 1.8 V drain-source

PMV32UP

P-canal del modo del realce del transistor de efecto de campo (FET) en un pequeño SOT23 (TO-236AB) de dispositivos montados en superficie (SMD) envase de plástico con Fosa tecnología MOSFET.

  • 1,8 V Consumo de fuente en estado de resistencia nominal
  • Muy rápido de conmutación
  • Fosa de tecnología MOSFET
  • Relé del controlador
  • De alta velocidad del conductor de línea
  • Alto-lado loadswitch
  • Conmutación de circuitos

Hoja de datos

(Especificación del producto)
v.1.0, 15/03/2011
Páginas, 954kB

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http://www.nxp.com/#/pip/pip=[pip=PMV32UP]|pp=[t=pip,i=PMV32UP]