P-canal del modo del realce del transistor de efecto de campo (FET) en un pequeño SOT23 (TO-236AB) de dispositivos montados en superficie (SMD) envase de plástico con Fosa tecnología MOSFET.
- 1,8 V Consumo de fuente en estado de resistencia nominal
- Muy rápido de conmutación
- Fosa de tecnología MOSFET
- Relé del controlador
- De alta velocidad del conductor de línea
- Alto-lado loadswitch
- Conmutación de circuitos
Hoja de datos
(Especificación del producto)
v.1.0, 15/03/2011
Páginas, 954kB
http://www.nxp.com/#/pip/pip=[pip=PMV32UP]|pp=[t=pip,i=PMV32UP]
