PMV32UP 20 V, 4 A del P-canal Fosa MOSFET 1.8 V drain-source

P-canal del modo del realce del transistor de efecto de campo (FET) en un pequeño SOT23 (TO-236AB) de dispositivos montados en superficie (SMD) envase de plástico con Fosa tecnología MOSFET.

• 1,8 V Consumo de fuente en estado de resistencia nominal
• Muy rápido de conmutación
• Fosa de tecnología MOSFET

• Relé del controlador
• De alta velocidad del conductor de línea
• Alto-lado loadswitch
• Conmutación de circuitos

Hoja de datos

(Especificación del producto)
v.1.0, 15/03/2011
Páginas, 954kB

 

http://www.nxp.com/#/pip/pip=[pip=PMV32UP]|pp=[t=pip,i=PMV32UP]