23 de julio 2010
El transistor de alta potencia es ideal para la comunicación de ondas milimétricas de larga distancia y, teóricamente, puede ser utilizado para las transmisiones por 84 kilometros .
Panasonic ha desarrollado una alta potencia de nitruro de galio ( GaN ) transistor para las comunicaciones de larga distancia en frecuencias de onda milimétricas . El transmisor-receptor inalámbrico 25GHz fue fabricado utilizando el transistor de GaN . Las exposiciones con un dispositivo de potencia de salida máxima de 10.7W a 25GHz que teóricamente permite la comunicación sobre 84 kilometros .
La alta potencia de GaN transistor, fabricado en una de silicio ( Si) sustrato es adecuado para la producción en masa y se aprovecha de los de gran diámetro alcanzables con Si . La novela epitaxial estructura en Si mejora la calidad de cristal que resulta en un alto consumo actual de 1.1A/mm con una alta concentración de portadores .
Un metal - aislante- semiconductor ( MIS) estructura de la puerta con la película cristalina SiN fue utilizada como un aislante puerta, en gran medida el aumento de la tensión de ruptura puerta. Por lo tanto, una tensión de 55V de alto consumo se puede aplicar al dispositivo.
El dispositivo de GaN de propiedad con un voltaje de interrupción de alta corriente y alta permite un funcionamiento de alta potencia de 10.7W a 25GHz . Panasonic dice que es la mayor potencia de GaN reportados por los transistores de silicio en esta frecuencia . La empresa también afirma que el dispositivo muestra el mundo más alto de densidad de potencia de entre 60 GHz en 2.4W/mm informó transistores GaN .
El transceptor utiliza fabricado Orthogonal Frequency Division Multiplexing (OFDM ), que es adecuado para la alta capacidad de comunicación de datos . La potencia de salida promedio de 2 W de la 10W del transistor GaN puede alcanzar 84 kilometros de comunicación en la teoría.
La alta potencia de GaN transistor permite la comunicación a través de distancias mucho más tiempo que los resultados obtenidos usando transistores GaAs convencionales. último de Panasonic transistores GaN es muy prometedor para el futuro de ondas milimétricas sistemas de comunicación de larga distancia con gran velocidad y capacidad de datos de alta .
Hasta ahora , las solicitudes de 18 nacionales y 3 patentes en el extranjero han sido presentadas. Esta evolución se debe en parte con el apoyo de "El proyecto de investigación y desarrollo para la expansión de los recursos del espectro radioeléctrico " del Ministerio de Asuntos Internos y Comunicaciones , Japón
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