Transitores descripciones

Part Numbers for Transistors

Part #	Distributor	Manufacturer	Product Category	Description
CA3083	Digi-Key	Intersil	Discrete Semiconductor Products	TRANSISTOR ARRAY NPN 16-DIP
2N2907AUA	Digi-Key	TT Electronics/Optek Technology	Discrete Semiconductor Products	TRANSISTOR PNP GP HERMETIC SMD
NSS40601CF8T1G	Digi-Key	ON Semiconductor	Discrete Semiconductor Products	TRANS NPN 40V 8A 1206A CHIPFET
BUB941ZT	Digi-Key	STMicroelectronics	Discrete Semiconductor Products	TRANSISTOR DARL NPN HV D2PAK
2STR1215	Digi-Key	STMicroelectronics	Discrete Semiconductor Products	TRANSISTOR NPN LV FAST SW SOT-23

Part #	Distributor	Manufacturer	Product Category	Description
HFA3096B96	Digi-Key	Intersil	Discrete Semiconductor Products	IC TRANS ARRAY NPN/PNP 16-SOIC
2SD2033AT114E	Digi-Key	Rohm Semiconductor	Discrete Semiconductor Products	TRANS NPN 160V 1.5A HRT/TO-220FP
PMP4201Y,115	Digi-Key	NXP Semiconductors	Discrete Semiconductor Products	TRANS NPN/NPN 45V 100MA SOT363
PBSS4160DPN,115	Digi-Key	NXP Semiconductors	Discrete Semiconductor Products	TRANS NPN/PNP 60V LOW SAT SC-74
BCV27,215	Digi-Key	NXP Semiconductors	Discrete Semiconductor Products	TRANS DARL NPN 30V 500MA SOT23
PHE13009,127	Digi-Key	NXP Semiconductors	Discrete Semiconductor Products	TRANSISTOR DIFF 700V 12A TO220AB
BC557C,112	Digi-Key	NXP Semiconductors	Discrete Semiconductor Products	TRANSISTOR PNP 45V 100MA TO-92
2SC3311A0A	Digi-Key	Panasonic - SSG	Discrete Semiconductor Products	TRANS NPN AF AMP 50V 100MA NEW S
2SD23450SL	Digi-Key	Panasonic - SSG	Discrete Semiconductor Products	TRANS NPN 40VCEO 50MA SS-MINI 3P

 

 

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MMBT2907ALT1	Digi-Key	Infineon Technologies	Discrete Semiconductor Products	TRANSISTOR SWITCHING PNP SOT-23
MJW0281A	Digi-Key	ON Semiconductor	Discrete Semiconductor Products	TRANS BIPO NPN 150W 260V TO-247
BC847S	Digi-Key	Fairchild Semiconductor	Discrete Semiconductor Products	TRANSISTOR NPN 45V 200MA SC70-6
BCW68G	Digi-Key	Fairchild Semiconductor	Discrete Semiconductor Products	TRANSISTOR PNP 45V 800MA SOT-23
BCX799_D26Z	Digi-Key	Fairchild Semiconductor	Discrete Semiconductor Products	TRANSISTOR PNP 45V 500MA TO-92
BF240	Digi-Key	Fairchild Semiconductor	Discrete Semiconductor Products	TRANSISTOR RF NPN 40V 50MA TO-92
BC212LB	Digi-Key	Fairchild Semiconductor	Discrete Semiconductor Products	TRANSISTOR PNP 50V 100MA TO-92
BCP54	Digi-Key	Fairchild Semiconductor	Discrete Semiconductor Products	TRANSISTOR NPN 45V 1.5A SOT-223
BCP56	Digi-Key	Fairchild Semiconductor	Discrete Semiconductor Products	TRANSISTOR NPN 80V 1.2A SOT-223
BCX19	Digi-Key	Fairchild Semiconductor	Discrete Semiconductor Products	TRANSISTOR NPN 45V 500MA SOT-23
2N4124TA	Digi-Key	Fairchild Semiconductor	Discrete Semiconductor Products	TRANSISTOR NPN 25V 200MA TO-92
2N4126TFR	Digi-Key	Fairchild Semiconductor	Discrete Semiconductor Products	TRANSISTOR PNP 25V 200MA TO-92
2N4402TA	Digi-Key	Fairchild Semiconductor	Discrete Semiconductor Products	TRANSISTOR PNP 40V 600MA TO-92
2N4402TFR	Digi-Key	Fairchild Semiconductor	Discrete Semiconductor Products	TRANSISTOR PNP 40V 600MA TO-92
2N5087TFR	Digi-Key	Fairchild Semiconductor	Discrete Semiconductor Products	TRANSISTOR PNP 50V 100MA TO-92
2N5401TF	Digi-Key	Fairchild Semiconductor	Discrete Semiconductor Products	TRANSISTOR PNP 160V 600MA TO-92
2N6517TA	Digi-Key	Fairchild Semiconductor	Discrete Semiconductor Products	TRANSISTOR NPN 350V 500MA TO-92
HFA3096BZ96	Digi-Key	Intersil	Discrete Semiconductor Products	IC TRANS ARRAY NPN/PNP 16-SOIC
HFA3102B96	Digi-Key	Intersil	Discrete Semiconductor Products	IC TRANS ARRAY DUAL NPN 14-SOIC
HFA3102BZ96	Digi-Key	Intersil	Discrete Semiconductor Products	IC TRANS ARRAY DUAL NPN 14-SOIC
MMST3904T146	Digi-Key	Rohm Semiconductor	Discrete Semiconductor Products	TRANS GP NPN 40V 200MA SOT-346
MMST3906T146	Digi-Key	Rohm Semiconductor	Discrete Semiconductor Products	TRANS GP PNP 40V 200MA SOT-346
QST6TR	Digi-Key	Rohm Semiconductor	Discrete Semiconductor Products	TRANS PNP BIPOLAR 12V 2A TSMT6
HFA3127R96	Digi-Key	Intersil	Discrete Semiconductor Products	IC TRANS ARRAY 5X NPN 16QFN
2SC5916TLR	Digi-Key	Rohm Semiconductor	Discrete Semiconductor Products	TRANS NPN 30V 2A TSMT3 'R'
2SD2700TL	Digi-Key	Rohm Semiconductor	Discrete Semiconductor Products	TRANS NPN 12V 2A TUMT3
2SD2707T2LV	Digi-Key	Rohm Semiconductor	Discrete Semiconductor Products	TRANS NPN 50V 0.15A VMT3
BF423,112	Digi-Key	NXP Semiconductors	Discrete Semiconductor Products	TRANS PNP 250V 50MA SOT54
BF550,215	Digi-Key	NXP Semiconductors	Discrete Semiconductor Products	TRANS PNP 40V 25MA SOT23
BF620,115	Digi-Key	NXP Semiconductors	Discrete Semiconductor Products	TRANS NPN 300V 50MA SOT89
BF821,215	Digi-Key	NXP Semiconductors	Discrete Semiconductor Products	TRANS PNP 300V 50MA SOT23

 

Part # Distributor Manufacturer Product Category Description BF840,215 Digi-Key NXP Semiconductors Discrete Semiconductor Products TRANS NPN 40V 25MA SOT23 BFR93AW,115 Digi-Key NXP Semiconductors Discrete Semiconductor Products TRANS NPN 12V 35MA SOT-323 BSP62,115 Digi-Key NXP Semiconductors Discrete Semiconductor Products TRANS PNP 80V 500MA SOT223 MMBT2222A,215 Digi-Key NXP Semiconductors Discrete Semiconductor Products TRANS NPN 40V 600MA SOT23 MMBT3904,215 Digi-Key NXP Semiconductors Discrete Semiconductor Products TRANS NPN 40V 200MA SOT23 PBSS4350X,115 Digi-Key NXP Semiconductors Discrete Semiconductor Products TRANS NPN 50V 3A SOT89 PBSS5220T,215 Digi-Key NXP Semiconductors Discrete Semiconductor Products TRANS PNP 20V 2A SOT23 PBSS5350D,135 Digi-Key NXP Semiconductors Discrete Semiconductor Products TRANS PNP 50V 3A SOT457 PIMT1,115 Digi-Key NXP Semiconductors Discrete Semiconductor Products TRANS PNP 40V 100MA SOT457 PMBTA42,235 Digi-Key NXP Semiconductors Discrete Semiconductor Products TRANS NPN 300V 100MA SOT23 PMEM4010ND,115 Digi-Key NXP Semiconductors Discrete Semiconductor Products TRANS NPN 40V 1A SOT457 PMEM4030PS,115 Digi-Key NXP Semiconductors Discrete Semiconductor Products TRANS PNP 50V 2A SOT96-1 PMST6429,115 Digi-Key NXP Semiconductors Discrete Semiconductor Products TRANS NPN 45V 100MA SOT323 PXTA92,115 Digi-Key NXP Semiconductors Discrete Semiconductor Products TRANS PNP 300V 100MA SOT89 BC868,115 Digi-Key NXP Semiconductors Discrete Semiconductor Products TRANSISTOR NPN 20V 1A SOT89 BCX51,115 Digi-Key NXP Semiconductors Discrete Semiconductor Products TRANSISTOR PNP 45V 1A SOT89 BCX52,115 Digi-Key NXP Semiconductors Discrete Semiconductor Products TRANSISTOR PNP 60V 1A SOT89 NJT4030PT3G Digi-Key ON Semiconductor Discrete Semiconductor Products TRANS PNP BIPO 3A 40V SOT-223 NSS40201LT1G Digi-Key ON Semiconductor Discrete Semiconductor Products TRANS NPN 40V 4A SOT-23 MMDT5401-7 Digi-Key Diodes Inc Discrete Semiconductor Products TRANS DUAL PNP -150V SOT363

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Transitores Definiciones

Los transistores

Los transistores,  son dispositivos electrónicos hechos de material semiconductor que amplifican una señal, o abrir o cerrar un circuito. Inventado en 1947, en los laboratorios Bell. Los transistores, se han convertido en el ingrediente clave de todos los circuitos digitales, incluidos los equipos. Es el estado sólido, análogo al tubo de electrones tríodo; el transistor ha reemplazado el tubo de electrones para aplicaciones de prácticamente todo-común. El transistor, es un arreglo de materiales de semiconductores que comparten fronteras físicas comunes. Materiales más comúnmente utilizados son el silicio, el arseniuro de galio y el germanio, en el que un proceso llamado "dopaje", ha introducido las impurezas. En semiconductores tipo n, las impurezas o dopantes dan lugar a un exceso de electrones, o cargas negativas. En semiconductores tipo p, los dopantes conducen a una deficiencia de electrones y, por lo tanto, un exceso de portadores de carga positiva o "agujeros.

Cruce de los transistores bipolares (BJT), tienen dos diseños funcionales principales: transistores de cruce n-p-n y p-n-p.

Los transistores n-p-n, consisten en dos semiconductores de tipo n (llamados el emisor y el colector), separados por una fina capa de material semiconductor tipo p, (llamado la base). La acción de transistor, es tal que si bien se determinarán los potenciales eléctricos en los segmentos, una pequeña corriente entre las conexiones de base y emisor da como resultado una gran corriente entre las conexiones de emisor y el colector, produciendo así la amplificación actual. Algunos circuitos, están diseñados para usar el transistor como un dispositivo de conmutación; actual en la Unión base-emisor crea un trazado de baja resistencia entre el colector y el emisor. p-n-p, el cruce de los transistores consisten en una fina capa de material semiconductor tipo n, situada entre dos tipo p, los semiconductores, funcionan de la misma manera, excepto que se revierten todas polaridades.

Transistores de efecto de campo, se desarrollaron después de que el transistor de Unión, es el transistor de efecto de campo (FET). No dibujan prácticamente ningún poder de una señal de entrada, superar una desventaja importante del transistor de Unión. Unn-canalFET, consta de una barra (canal) de material semiconductor tipo n, que pasa entre y hace contacto con dos pequeñas regiones de material de tipo p, cerca de su centro. Los terminales conectados, a los extremos del canal, se denominan el origen, y el desagüe; aquellos conectados a las regiones de dos-tipo p se denominan puertas. Un voltaje aplicado a las puertas, está dirigido para que ninguna corriente exista a través de las uniones entre los materiales de tipo p y n; por esta razón se llama, una tensión inversa. Las variaciones de la magnitud, de la tensión inversa causan variaciones en la resistencia del canal, lo que permite la tensión inversa, controlar la corriente en el canal.

ACanal p, estedispositivo funciona de la misma manera pero con polaridades inversas.

Metal-oxide, semiconductor transistor de efecto campo (MOSFET), es una variante en la que una sola puerta, está separada del canal por una capa de óxido metálico, que actúa como un aislante o dieléctrica. El campo eléctrico, de la puerta se extiende a través de la dieléctrica y controla la resistencia del canal. En este dispositivo la señal de entrada, que se aplica a la puerta, puede aumentar la corriente a través del canal así como disminuirlo.

Transistores Darlington

Los transistores Darlington (pares de Darlington), son dispositivos semiconductores, que combinan dos transistores bipolares en un solo dispositivo. Ofrecen alta ganancia actual (comúnmente escrito ß) y requieren menos espacio que las configuraciones que utilizan dos transistores discretos.

Puerta aislado transistores bipolar (IGBT)

Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT), son los transistores bipolares con una puerta aislada. Combinan las ventajas del transistor bipolar (alto voltaje y corriente), con las ventajas de la MOSFET (conmutación de alto y bajo consumo de energía).

FET de semiconductor de óxido de metal (MOSFET)

Transistores de efecto de – Metal-oxide semiconductor campo (MOSFET), son dispositivos electrónicos con un canal de conducción, como la salida de conmutación. Un electrodo, que llama una puerta, controla el ancho del canal y determina qué tan bien se realiza el MOSFET.

Bipolar transistores de potencia

Transistores bipolares de poder, son semiconductores en el que se intercala una capa base de tipo n o p entre el emisor y el colector capas del tipo opuesto. Los cruces, entre las secciones de semiconductores amplifican débiles señales eléctricas entrantes.

Alimentación MOSFET

El MOSFET de potencia, estos dispositivos, se utiliza en la mayoría de los circuitos de alta impedancia de entrada, y no presentan efectos de almacenamiento de información de portadora de minoría. Una vía térmica o desglose secundari0. El MOSFET de potencia, tiene altos voltajes de desglose de transistores, de unión bipolar (BJT) y puede utilizarse en aplicaciones de mayor frecuencia, donde la conmutaciones de las pérdidas de energía es importantes.

Transistores de RF

Transistores de RF, están diseñados para manejar señales de alta potencia, de radiofrecuencia (RF), en dispositivos tales como amplificadores estéreo, transmisores de radio y monitores de televisión.

Pequeñas-señal de transistores bipolar (BJT)

Transistores bipolares de pequeña señal (BJT), son semiconductores que amplificar pequeñas señales de CA o CC. Consisten en una base de tipo n o capa de tipo p intercalados entre el emisor y el colector capas del tipo opuesto.

Transistor Transistor Lógica TTL

Transistor transistor lógica TTL, es una clase de circuitos digitales construido a partir de transistores de unión bipolar (BJT), diodos y resistencias. Es notable, ya que era la base para la primera

Transistores de unión bipolar

Transistores de unión bipolar de (BJT), se utilizan en aplicaciones de propósito generales. Consisten en dos secciones de un tipo de semiconductores (N o P) alrededor de una losa mediana de otro tipo. Las

Transistores de movilidad de alta Electron (HEMT)

Transistores de electrones alta movilidad (HEMTs), se utilizan en aplicaciones de circuito de microondas. Estos transistores se comportan, muy parecido a los transistores de efecto de campo convencional (FETs): un canal de conducción entre electrodos de drenaje, y de origen puede verse afectado mediante la aplicación de un voltaje para el electrodo de puerta. Esto provoca la modulación de la corriente de la fuente de drenaje. En un HEMT, una estructura hetero, que limita los portadores de carga, a una capa delgada crea el canal de conducción. La concentración de las compañías aéreas y su velocidad, en esta capa permite el transistor mantener una alta ganancia a muy altas frecuencias.