Microsemi Corp de Irvine , California, EE.UU. , que diseña y fabrica analógico de señal mixta circuitos integrados, los semiconductores de alta fiabilidad y subsistemas de RF, ha puesto en marcha 2200W de pico de potencia de RF de carburo de silicio (SiC ) del transistor , ampliando su cartera de dispositivos de carburo de silicio para la alta el poder de banda UHF aplicaciones de radar pulsado.
Con el nuevo modelo 0405SC -2200m dispositivo, Microsemi dice que apoya la próxima generación de diseños de UHF radar de impulsos con una serie completa de opciones de carburo de silicio del transistor de 100W , 500W, 1000W, 1500W y 2200W ahora tanto tiempo y de largo alcance -sobre- la Horizonte aplicaciones de radar .
"Este dispositivo de 2200W resultados de nuestro compromiso a largo plazo para los mercados aeroespaciales y militares , invirtiendo agresivamente en tecnología de carburo de silicio ", dice Microsemi SRIP vicepresidente Carlos Jefe. " Además de apoyar los diseños UHF de última generación , estamos desarrollando los transistores de alta potencia de pulso de SiC , tanto para la banda L y banda S sistemas de radar ... dispositivos de banda L inicial está prevista para la demostración de este otoño ", añade .
El 0405SC - 2200 es un chip de la Generación 3 en su geometría, materiales , elaboración y envasado . Está diseñado en un solo paquete de composición de 2200W de compuerta común Clase AB de rendimiento en las frecuencias UHF de 450 MHz 406- . Un paquete herméticamente cerrado crea con un 100 % de metalización de oro de alta temperatura y cables proporciona alta fiabilidad y mejora de los rendimientos del sistema, las reclamaciones Microsemi . Su diseño proporciona carburo de silicio de alta potencia en lo que se afirma que es el transistor más pequeño de la industria y el tamaño de circuito para el rango de frecuencia especificado.
ganancia de potencia típica es superior a 8 dB , la eficiencia de drenaje es de 55 % a 450 MHz , y la compresión típica es de 1,0 dB . beneficios adicionales del sistema son coincidentes simplificada de impedancia, un alto voltaje de funcionamiento 125 V (como reducir drásticamente el tamaño de la fuente de alimentación y de corriente continua demanda actual ) , bajo la realización actual (minimización de ruidos ) , y lo que se demanda para la industria de la más alta potencia de pico de potencia del sistema reduce la combinación de (4- forma de los rendimientos combinación con un margen de 8 kW ) .
Microsemi añade 1500W carburo de silicio del transistor de potencia de RF para los radares de impulsos UHF
Microsemi Corp de Irvine , California, EE.UU. , que fabrica analógico de señal mixta circuitos integrados y semiconductores de alta fiabilidad, ha ampliado su cartera de carburo de silicio de alta potencia (SiC ) transistores con el lanzamiento de un transistor de banda ancha 1500W diseñado específicamente para la banda UHF pulsado radar en aplicaciones militares y aeroespaciales.
El dispositivo 0405SC - 1500M de RF Microsemi de Soluciones Integradas ( IFRs) grupo utiliza la tecnología de carburo de silicio para proporcionar 1500W rendimiento pico de potencia en un diseño simple, compacto paquete de una sola terminal de igualación de impedancia que sustituye a complejos circuitos push-pull balun en silicio convencional BJT ( soluciones transistor de unión bipolar ) o LDMOS (semiconductor de óxido metálico lateralmente difusa ) . El tamaño es de 50 % más pequeño que los dispositivos de silicio equivalente , se estima .
El 0405SC - 1500M es una de compuerta común , la clase AB , un transistor de alta potencia diseñados para las frecuencias UHF de 450 MHz 406- . Se fabrica con la metalización todo el oro y alambres de oro en un paquete hermético sellado de soldadura , prolongar la vida útil de funcionamiento y que proporciona una fiabilidad a largo plazo de tipo militar para los radares meteorológicos y sobre el horizonte , las aplicaciones de radar.
Microsemi dice que el 0405SC - 1500M utiliza un diseño nuevo chip de procesamiento y mejoras para ofrecer un alto rendimiento , especialmente en alta potencia , un transistor pequeño y tamaño del circuito en el rango de frecuencia especificada con 300 microsegundos de ancho de pulso y ciclo de 6 % del derecho .
La empresa añade que los beneficios del sistema incluyen :
lo que se demanda para la industria de la más alta potencia de pico de potencia del sistema reducido (4- forma de los rendimientos con un margen de 5 kW combinación ) ;
de alta tensión de servicio ( Vdd = 125 V) barras de tamaño de fuente de alimentación DC y la demanda actual;
baja realización minimiza el ruido del sistema actual de efecto, y
extremadamente robusto rendimiento mejora el rendimiento del sistema.
"Este dispositivo 1500W nuevo demuestra nuestra capacidad para extender esta tecnología avanzada a través de una fuerte inversión ", afirma Microsemi SRIP vicepresidente Carlos Jefe. "Ahora podemos apoyar UHF diseños de última generación por radar con una serie completa de carburo de silicio transistores que tienen poderes nominal de 100W , 500W, 1000W y ahora el 0405SC - 1500M a 1500 W ", añade .
unidades de demostración para toda la línea de Microsemi transistores carburo de silicio están disponibles ahora.
